2020年第一季度寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目匯總2020年第一季度寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目匯總
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1、中國(guó)電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地
2020年3月3日，中國(guó)電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目投產(chǎn)。
項(xiàng)目于2019年4月1日開(kāi)工建設(shè)， 9月26日封頂。建筑面積 2.7 萬(wàn)平方米，能容納 600 臺(tái)碳化硅單晶生產(chǎn)爐和 18 萬(wàn)片 N 型晶片的加工檢測(cè)能力，可形成 7.5 萬(wàn)片的碳化硅晶片產(chǎn)能。
自 2007 年，中國(guó)電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃，依靠自身在電子專(zhuān)用設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，潛心鉆研著碳化硅單晶生長(zhǎng)爐的研制。目前全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長(zhǎng)、晶片加工、外延驗(yàn)證等整套碳化硅材料研制線，在國(guó)內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)。
2、積塔6 英寸碳化硅生產(chǎn)線
3月，積塔半導(dǎo)體的6 英寸碳化硅生產(chǎn)線正式測(cè)通線運(yùn)行。
開(kāi)工項(xiàng)目
1、天和通訊（徐州）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目
1月，總投資達(dá)到60億元天和通訊（徐州）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地舉行了開(kāi)工儀式。
該項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵高性能芯片和器件的全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)。項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)后，可年產(chǎn)33密耳、55密耳、70密耳芯片200億顆及各類(lèi)5G芯片共約10億顆。
2、綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項(xiàng)目 2020年2月21日，投資20億元的綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項(xiàng)目在山東淄博高新區(qū)開(kāi)工。
項(xiàng)目建設(shè)的6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線，，主要從事大功率分立器件、芯片系列產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造，以及功率模塊應(yīng)用、制造流程的研發(fā)
3、博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目
2020年3月3日，投資25億元的嘉興博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目開(kāi)工啟動(dòng)。
項(xiàng)目一期建設(shè)6英寸兼容4英寸氮化鎵生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)月產(chǎn)能為1000片氮化鎵射頻晶圓；二期建設(shè)6英寸兼容4英寸氮化鎵生產(chǎn)線和外延片生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)月產(chǎn)能為3000片氮化鎵射頻晶圓、月產(chǎn)能20000片氮化鎵功率晶圓。
簽約項(xiàng)目
1、高啟電子氮化鎵外延片項(xiàng)目
1月18日，第三代半導(dǎo)體外延片生產(chǎn)線項(xiàng)目簽約。項(xiàng)目由許昌高啟電子科技有限責(zé)任公司投資，以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域最前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。
許昌高啟電子科技有限責(zé)任公司成立于2019年12月30日，注冊(cè)資本3億元，董事長(zhǎng)徐志成。
2、泰科天潤(rùn)運(yùn)營(yíng)總部及碳化硅器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目
2月，泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)簽訂項(xiàng)目入?yún)^(qū)協(xié)議。公司將整體遷入順義區(qū)，在臨空國(guó)際板塊占地20畝，總投資4億元，建設(shè)運(yùn)營(yíng)總部及應(yīng)用于新能源汽車(chē)、國(guó)家電網(wǎng)等領(lǐng)域的碳化硅器件生產(chǎn)基地，項(xiàng)目建設(shè)期2年。
3、徐州碳化硅功率半導(dǎo)體模塊封測(cè)及封裝材料研發(fā)項(xiàng)目
2020年2月17日，投資3億元的碳化硅功率半導(dǎo)體模塊封測(cè)及封裝材料研發(fā)項(xiàng)目簽約江蘇徐州高新區(qū)。項(xiàng)目主要從事碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體模塊的封測(cè)，研發(fā)生產(chǎn)耐高溫、耐腐蝕的先進(jìn)封裝材料，一期項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，年產(chǎn)碳化硅模塊約20萬(wàn)只；二期項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，可年產(chǎn)碳化硅模塊約50萬(wàn)只。
4、海寧碳化硅材料研發(fā)及制造項(xiàng)目 2020年2月21日，投資2億美元碳化硅材料研發(fā)及制造項(xiàng)目簽約浙江海寧。項(xiàng)目主要從事炭化硅材料研發(fā)及制造。
5、吳越半導(dǎo)體氮化鎵襯底及芯片制造項(xiàng)目 2020年2月21日，投資37億元的吳越半導(dǎo)體氮化鎵襯底及芯片制造項(xiàng)目簽約江蘇無(wú)錫。項(xiàng)目主要進(jìn)行2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。
吳越半導(dǎo)體成立于2019年3月13日，注冊(cè)資金588萬(wàn)元。
6、合肥世紀(jì)金光產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
3月，合肥產(chǎn)投資本管理的語(yǔ)音基金與北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司簽署投資協(xié)議并完成首期出資，在合肥高新區(qū)投資建設(shè)6英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)及加工項(xiàng)目。這是合肥首個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于2010年，總部位于北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，是國(guó)家大基金在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域投資的重點(diǎn)企業(yè)之一，2018年6月，大基金投資2957萬(wàn)元，持股10.55%。
7、同光晶體碳化硅單晶襯底項(xiàng)目
3月22日，河北同光晶體有限公司年產(chǎn)10萬(wàn)片碳化硅單晶襯底項(xiàng)目簽約淶源。項(xiàng)目主要生產(chǎn)直徑4-6英寸碳化硅單晶襯底。
河北同光晶體有限公司成立于2012年，位于保定市高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，主要從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅襯底的研發(fā)和生產(chǎn)。公司主要產(chǎn)品包括4英寸和6英寸導(dǎo)電型、半絕緣碳化硅襯底。 |
