區(qū)熔硅片

區(qū)熔硅片就是通過區(qū)熔法（Float Zone）長晶得到區(qū)熔單晶硅棒，然后把單晶硅棒加工成硅片，叫做區(qū)熔硅片。區(qū)熔硅片由于在長晶的過程中沒有跟石英坩堝接觸，硅材料處于懸浮狀態(tài)，因此長晶過程中受污染少。碳含量和氧含量更低，雜質(zhì)更少，電阻率更高，適用于功率器件和某些耐高壓電子器件的制造。
區(qū)熔硅片在長晶過程中，通常不會像直拉法那樣摻入雜質(zhì)元素硼（Boron）或者磷（Phos）,因此區(qū)熔硅片大多是本征型，不摻雜的高阻片，電阻率大于>1000歐姆-厘米。但是某些情況下，也可以通過NTD中照和GD氣摻來實現(xiàn)對區(qū)熔硅棒的摻雜，以達(dá)到均勻性更好和更低的電阻率。